散射光方法在半导体行业，尤其是前道工艺中，已长期成为晶圆表面测量的重要手段。OptoSurf 将其在散射光测量方面的丰富经验进一步应用于半导体表面，在后道工艺中用于背面磨削硅晶圆的粗糙度和波纹度测量。如今这类晶圆通常会通过背磨减薄到小于 50 微米厚度，抛光后表面粗糙度仅允许达到 Ra = 1 至 3 nm。

借助 OS 500 传感器、旋转真空吸盘以及线性传感器运动，300 mm 晶圆可在 30 秒内完成全表面测量。相关性测量表明，其结果与高分辨率白光干涉仪或共焦显微镜一致。WaferMaster 的全表面测量优势在于不仅能显示局部粗糙度差异，还能同时测量宏观几何形貌（翘曲）和波纹度（纳米地形）。